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索尼结盟IBM东芝 拓展高性能半导体制造联盟

放大字体  缩小字体 发布日期:2007-11-30  浏览次数:82
核心提示:  北京时间10月22日,索尼公司和索尼电脑娱乐公司(索尼集团)于今日宣布了两份独立签署的最新合作协议,目的是增强索尼集团
 北京时间10月22日,索尼公司和索尼电脑娱乐公司(索尼集团)于今日宣布了两份独立签署的最新合作协议,目的是增强索尼集团的PlayStation业务规模。  

  根据协议内容,IBM和索尼将双方之间现有的生产合作关系拓展到45纳米绝缘硅(SOI)业务中,以批量生产Cell宽带引擎(Cell/B.E)处理器。两家公司将通过合作优化45纳米绝缘硅的生产能力,为索尼集团的PLAYSTATIONreg;3生产更低能耗、更低成本的处理器。通过将纽约East Fishkill生产工厂现有的65纳米制程改进为45纳米,IBM将领导Cell/B.E.组件的发展。  

  此外,作为另外一份独立协议的内容,索尼集团将拓展与东芝之间的联盟关系,以通过45纳米批量处理技术来生产高性能LSI(大规模集成电路)。通过成立合资公司来充分利用双方的知识和经验,索尼集团和东芝将通过以45纳米制程取代现有的65纳米制程,以强化游戏和数字媒体应用在能耗和成本方面的竞争优势。  

  通过进一步强化与相关伙伴企业的合作关系,索尼集团将改进PlayStation产品所使用的高性能半导体组件,并降低其成本。这些增强会进一步提高PLAYSTATIONreg;3系统及索尼PlayStation业务总体的领先能力。  

  “Cell宽带引擎向45纳米SOI技术的过渡,是提升全球一流的处理器成本和能耗特征,同时保持芯片上半导体组件性能的一个关键步骤。”IBM全球工程解决方案部总经理Adalio Sanchez讲到。“IBM团队非常高兴能够在East Fishkill 300毫米生产工厂率先生产45纳米Cell/B.E.处理器,并通过显著降低其能耗和大小来进一步促进这种功能的广泛应用。

 
  
 
 
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