东芝称通过这项技术，45纳米CMOS的门密度可以提升到65纳米的2.6倍。
东芝称其已经开发出一项技术，通过观察电路设计所依赖的因素，能够分别预测每个晶体管的性能。
其新技术可以估算每个晶体管的特性参数并将之转化到电路设计中，结果就是：东芝得到了更高的门密度却没有增加设计中不稳定的可能。
这项最新的技术是在6月18号的2008年VLSL（超大规模集成电路）技术讨论大会上公布的。
