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快闪记忆体产能可望在2008年首次超越DRAM
2007-11-30 13:26  点击:215
    市场研究公司Strategic Marketing Associates (SMA)预测,快闪记忆体产能将在2008年首次超越DRAM记忆体。根据SMA报告,快闪记忆体产能从2000年以来已经成长了四倍,达到相当于290万片8寸矽晶圆的规模,相较之下DRAM产能自那时起仅成长225%。
       SMA的报告指出,从2005年到2008年底的三年间,快闪记忆体制造商增加的产能是之前四年增加量的六倍;预计2008年和2009年,将还有超过10座的晶圆厂上线。SMA估计,当这些工厂设备全开,将带来每月相当于150万片8寸矽晶圆的产能。
       SMA总裁George Burns表示:“东芝(Toshiba)与SanDisk的合资公司和三星(Samsung),将是推动快闪记忆体产能成长的主力;前者最近大幅增加产能,已超越三星、Hynix和IMFlash的合并产能增加量。”
       东芝与SanDisk的合资公司包括Flash Vision、Flash Partners和Flash Alliance。其中Flash Alliance的Fab 4晶圆厂刚开始进行晶圆处理,当设备完成装机,每月产能将达到21万片12寸晶圆。
       Burns指出:“该厂将成为全球最大的晶圆厂,产能相当于50万片8寸矽晶圆。”
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